高周波基板のカスタマイズ生産では、材料の選択、プロセスパラメータの最適化、完全なプロセス制御を組み合わせることにより、穴あけバリや積層層を体系的に解決できます。
穴あけバリに特化したソリューション
ツールとパラメータの適応: 超微粒子タングステン鋼ドリルビット (粒径 0.2 ～ 0.4 μ m) を選択し、速度を 35 ～ 45krpm に上げ、送り速度を 20 ～ 30% 下げ、高周波プレートの特殊な材料特性に適応します。
切りくず除去とサポートの最適化: セグメント化された工具除去 (ペッキングドリル) プロセスを採用し、工具を 0.2 mm ごとに取り外して切りくずを完全に排出します。高密度アルミニウムカバープレートと複合パッドと組み合わせることで、ソースからの穴出口のバリを軽減します。
後処理の強化: 穴あけ後、プラズマまたは化学スラグ除去プロセスを追加して、穴壁に残った樹脂の破片やガラス繊維の突起を徹底的に除去し、その後の電気めっきの欠陥を回避します。
詳細管理: 高周波材料を上向きにして穴あけ穴に配置します。穴壁の品質のプロセス判断基準として、穴開口部の周囲の白い領域がエッジから 2.5 mm 以下であることが必要です。
圧力階層化に対する体系的な予防および制御計画
材料の事前マッチング: 低流動半硬化シート (RC%) を選択します。<40%), add a transition buffer layer between high-frequency materials and FR-4, control CTE deviation within 3ppm/℃, and significantly reduce interlayer stress.
圧縮曲線の改良：1〜2度/minの低い加熱速度を採用し、通常のFR4プレートと比較して圧縮時間を30〜50％延長し、冷却速度を厳密に制御します<1 ℃/min to avoid delamination caused by thermal shock.
環境・設備保証：真空プレスを使用し、真空度10Pa以内に管理してください。プレス前に高周波基板を80度で4時間真空乾燥し、基板上の水分を徹底的に除去し、残留気泡を除去します。
構造の最適化：対称積層設計を採用し、高周波材料層を中心軸を基準に対称に配置することで、圧縮過程における応力分布のバランスをとり、根元からの反りや剥離のリスクを低減します。
量産歩留り補助管理のポイント
異なる高周波基板の伸縮を補正するための専用データベースを構築し、X/Y方向の補正係数を独立して設定することで、変形の蓄積による層間の接合不良を回避します。
圧縮後、超音波走査型顕微鏡技術を使用して層間の状態を完全に検査し、直径 0.2 mm を超える隠れた気泡がないことを確認し、潜在的な層間剥離の危険を事前に遮断します。
各バッチは熱衝撃信頼性検証のためにサンプリングされ、288度のはんだ付けテストの後、層間剥離や銅の破壊現象がなく、端子使用の信頼性が保証されています。